副教授
教育经历
2009.09---2014.06，吉林大学电子科学与工程学院，微电子学与固体电子学，理学博士，导师：张绳百、孙洪波
2011.11---2013.10，美国伦斯勒理工学院，凝聚态物理专业，联合培养博士生，导师：Vincent Meunier, Shengbai Zhang
2007.09---2009.07，吉林大学电子科学与工程学院，微电子学与固体电子学，理学硕士，导师：孙洪波
2003.09---2007.07，吉林大学电子科学与工程学院，微电子学，理学学士
工作经历
2024.10---至今，东北大学，信息科学与工程学院，电子科学与技术系，副教授
2019.09---2024.09，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，发光学及应用国家重点实验室，副研究员
2014.07---2019.08，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，发光学及应用国家重点实验室，助理研究员
研究方向
致力于构建“AI驱动—第一性原理计算—原子级实验表征”全链条系统化研究，融合机器学习高通量筛选、第一性原理计算与先进材料生长表征技术，探索前沿半导体在芯片设计、器件制造中的基础物理与核心工艺问题。对这些基础问题的深刻理解，将直接推动极宽禁带半导体在极端环境下的应用突破，为国家在新能源转换、极紫外光电芯片、超高压功率电子器件等战略领域的发展提供关键材料支撑与理论储备。
鼓励并珍视研究过程中的“意外发现”——那些从实验异常、计算悖论或工艺瓶颈中萌发的创新灵感。半导体领域下一次颠覆性突破，往往就藏在看似“无用”的奇思妙想之中。
具体研究方向包括：
1.AI辅助极宽禁带半导体材料的高通量全自动筛选（国家/省级项目支持）
融合机器学习势函数与多目标优化算法，实现从海量材料数据库到可验证候选体系的智能导航，让算走在做前面。
2.第一性原理计算前沿半导体芯片物理与缺陷物理（国家项目/全国重点实验室项目支持）
从原子尺度揭示缺陷形成能、载流子动力学与界面物理机制，为器件级性能瓶颈提供微观理论解释与设计准则。
3.极宽禁带半导体与新兴二维半导体的原子级实验制备与表征（国家项目支持）
依托分子束外延、化学气相沉积及透射电镜、扫描隧道显微镜等尖端平台，在原子精度上“看见”并“构建”材料。
4.前沿半导体应用创新：从太阳能电池长效稳定性到芯片热管理的跨界探索
鼓励打破方向壁垒，将半导体物理与能源、热学、光电等领域交叉，把实验室里的“好材料、好技术”转化为解决产业痛点的“真方案，真创新”。
招收博士/硕士方向
欢迎电子科学与技术、控制科学与工程、微电子学、凝聚态物理、计算材料等相关专业背景，具备真诚、认真品质，对探索未知、发现新知充满好奇心的同学申请博士、硕士研究生。
科研项目
1. 2025/01-2028/12，国家自然科学基金面上项目，主持，在研。
2. 2020/01-2023/12，国家自然科学基金面上项目，主持，结题。
3. 2016/01-2018/12，国家自然科学基金青年科学基金项目，主持，结题。
4. 2017/01-2017/12，国家自然科学基金国际(地区)合作与交流项目，主持，结题。
5. 2027/01-2028/12，辽宁省自然科学基金面上项目，主持，在研。
6. 2023/01-2025/12，吉林省自然科学基金面上项目，主持，在研。
7.2025/01-2026/12，发光科学与技术全国重点实验室开放课题，主持，在研。
8.2020/11-2022/10，集成光电子学国家重点实验室开放课题，主持，结题。
学术成果
期刊论文(部分)
1.Dong Han, Xian-Bin Li, Nian-Ke Chen, Dan Wang, Sheng-Yi Xie, Xue-Jiao Chen, and De-Zhen Shen, “Thickness-dependent atomic structures of two-dimensional few-layer ZnO: A density functional theory study”, Phys. Rev. B 109, 014105 (2024).
2.Dong Han, Xian-Bin Li, Dan Wang, Nian-Ke Chen, and Xi-Wu Fan, “Doping in the two-dimensional limit: p/n-type defects in monolayer ZnO”, Phys. Rev. B 105, 024104 (2022).
3.Dong Han, Y.-Y. Sun, Junhyeok Bang, Y.-Y. Zhang, Hong-Bo Sun, Xian-Bin Li, S. B. Zhang, “Deep electron traps and origin of p-type conductivity in the earth-abundant solar-cell material Cu2ZnSnS4”, Phys. Rev. B 87, 155206 (2013).
4.Dong Han, Damien West, Xian-Bin Li, Sheng-Yi Xie, Hong-Bo Sun, S. B. Zhang, “Impurity doping in SiO2: Formation energies and defect levels from first-principles calculations”, Phys. Rev. B 82, 115132 (2010).
5.Dong Han, Junhyeok Bang, Weiyu Xie, Vincent Meunier, and Shengbai Zhang, “Phonon-Enabled Carrier Transport of Localized States at Non-Polar Semiconductor Surfaces: A First-Principles-Based Prediction”, J. Phys. Chem. Lett. 7, 3548 (2016).
6.Dong Han, Xue-Jiao Chen, Hai Xu, Chen Jiao, Ji-Lian Xu, Ke-Xue Li, Lei Liu, Yao-Biao Li, and De-Zhen Shen, “Stretch/Compress-Modulated Spin Splitting in One-Dimensional Melem Chain with a Helical Structure”, Phys. Status Solidi RRL 13, 1900294 (2019).
7.Dong Han, Xian-Bin Li, Y.-Y. Sun, S.-B. Zhang, Sheng-Yi Xie, Sukit Limpijumnong, Zhan-Guo Chen, Hong-Bo Sun, “Role of Hydrogen in the Growth of Boron Nitride: Cubic Phase versus Hexagonal Phase”, Comput. Mater. Sci. 82, 310 (2014).
8.Hai Xu, Dong Han(共同一作), Yang Bao, Fang Cheng, Zijing Ding, Sherman J. R. Tan, and Kian Ping Loh, “Observation of Gap Opening in 1T’ Phase MoS2 Nanocrystals”, Nano Lett. 18, 5085 (2018).
9.Dan Wang, Dong Han(共同一作), Damien West, Nian-Ke Chen, Sheng-Yi Xie, Wei Quan Tian, Vincent Meunier, Shengbai Zhang and Xian-Bin Li, “Excitation to defect-bound band edge states in two-dimensional semiconductors and its effect on carrier transport”, NPJ Comput. Mater. 5, 8 (2019).
10.Pengtao Jing, Dong Han(共同一作), Di Li, Ding Zhou, Dezhen Shen, Guanjun Xiao, Bo Zou, Songnan Qu, “Surface Related Intrinsic Luminescence from Carbon Nanodots: Solvent Dependent Piezochromism”, Nanoscale Horiz. 4, 175 (2019).
11.Nian-Ke Chen, Dong Han(共同一作), Xian-Bin Li, Feng Liu, Junhyeok Bang, Xue-Peng Wang, Qi-Dai Chen, Hai-Yu Wang, Shengbai Zhang, and Hong-Bo Sun, “Giant lattice expansion by quantum stress and universal atomic forces in semiconductors under instant ultrafast laser excitation”, Phys. Chem. Chem. Phys. 19, 24735 (2017).
12.Chunrui Ma, Dong Han(共同一作), Ming Liu, Gregory Collins, Haibin Wang, Xing Xu, Yuan Lin, Jiechao Jiang, Shengbai Zhang, and Chonglin Chen, “Anisotropic Strain Induced Directional Metallicity in Highly Epitaxial LaBaCo2O5.5+δ Thin Films on (110) NdGaO3”, Sci. Rep. 6, 37337 (2016).
13.Sheng Cheng, Jiangbo Lu, Dong Han(共同一作), Ming Liu, Xiaoli Lu, Chunrui Ma, Shengbai Zhang, and Chonglin Chen, “Manipulation of Optical Transmittance by Ordered-Oxygen-Vacancy in Epitaxial LaBaCo2O5.5+δ Thin Films”, Sci. Rep. 6, 37496 (2016).
14.Xue-Jiao Chen, Dong Han(通信作者), Ying Su, Qinghui Zeng, Lei Liu, and D.-Z. Shen, “Structural and Electronic Properties of Inorganic Mixed Halide Perovskites”, Phys. Status Solidi RRL 12, 1800193 (2018).
15.Dan Wang, Dong Han, Xian-Bin Li, Nian-Ke Chen, Damien West, Vincent Meunier, Shengbai Zhang, and Hong-Bo Sun, “Charged defects in two-dimensional semiconductors of arbitrary thickness and geometry: Formulation and application to few-layer black phosphorus”, Phys. Rev. B 96, 155424 (2017).
16.Dan Wang, Dong Han, Xian-Bin Li, Sheng-Yi Xie, Nian-Ke Chen, Wei Quan Tian, Damien West, Hong-Bo Sun, and S. B. Zhang, “Determination of Formation and Ionization Energies of Charged Defects in Two-Dimensional Materials”, Phys. Rev. Lett. 114, 196801 (2015).
17.Di Li, Dong Han, Song-Nan Qu, Lei Liu, Peng-Tao Jing, Ding Zhou, Wen-Yu Ji, Xiao-Yun Wang, Tong-Fei Zhang, and De-Zhen Shen, “Supra-(carbon nanodots) with a strong visible to near-infrared absorption band and efficient photothermal conversion”, Light: Sci. Appl. 5, e16120 (2016).
获奖
[1] 2018年，吉林省自然科学学术成果奖三等奖。
联系方式
邮箱：hand@neu.edu.cn
个人主页：http://faculty.neu.edu.cn/hand/zh_CN/index/418592/list/index.htm
