报告题目：低维纳米材料异质集成与新型电子器件研究

报告人：陈茂林研究员（中国科学院金属所研究所）

报告时间：2026年4月14日下午3:00–4:00

报告地点：信息学馆502

邀请人：电子科学与技术系姜霖教授

报告内容概要：

随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，后摩尔时代的集成电路技术发展正面临严峻挑战。低维半导体材料凭借其独特的物理特性与优异的电学性能，已成为突破传统硅基器件尺寸极限的重要候选材料。本报告将围绕低维半导体材料的生长机制及其在微纳电子器件中的物理特性展开，重点探讨先进微纳加工与范德华人工异质结构筑技术在新型微纳器件制备中的核心作用。报告将系统分享在单原子层极限（0.6 nm）沟道鳍式场效应晶体管（FinFET）领域的关键突破，并深入分析此类新型器件在后摩尔逻辑计算、存算一体化架构以及高性能光电传感等前沿方向的创新应用。本报告旨在梳理当前低维微纳电子器件发展面临的机遇与技术瓶颈，为下一代高性能集成电路的探索提供理论依据与技术参考。

报告人简介：

陈茂林，中国科学院金属研究所研究员，国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（海外）及中国科学院“BRB计划”入选者。2013年获吉林大学学士学位，2020年获中国科学技术大学博士学位（师从成会明院士与孙东明研究员），其后分别于山西大学（韩拯教授团队）及沙特阿卜杜拉国王科技大学（张西祥教授团队）从事博士后研究。2026年3月全职加入中科院金属所能源信息材料与器件研究部微纳电子器件课题组。陈博士长期致力于低维半导体材料生长、微纳电子器件物理及集成电路工艺研究。通过结合先进微纳加工与范德华人工异质结构筑技术，在后摩尔逻辑计算与存算感一体化等领域取得系列关键突破。其代表性工作包括：突破单原子层极限（0.6 nm）鳍式场效应晶体管（FinFET）阵列制备，首次实现高密度沟道阵列演示（该成果入选“2020年度中国半导体十大研究进展”）；首创晶圆级低温原位生长氮化硼光可编程二维忆阻器架构，开发出多值浮栅存储器及柔性传感存储器件。迄今共发表SCI学术论文41篇，总被引超4230次。以第一或共同第一作者身份在Nature Nanotechnology、Nature Communications、Advanced Materials等期刊发表多篇代表作，并合作发表Science及十余篇Nature子刊等。获授权中国发明专利7项，申请中美发明专利3项。